什么是集成电路的制程工艺Cmos芯片中的晶体管，叫做金属-氧化物半导体场效应晶体管，它的结构如后图。芯片的nm(纳米)制程工艺指芯片内所集成的对称互补金属氧化物半导体场效应晶体管栅极的的有效宽度(栅长)或导电沟道的长度，nm是长度单位，1nm=10的-9次方m或1m=1000mm1mm=1000m1m=1000nm，7nm制程工艺的线宽为7nm。

9月7日，华为手机产品线副总裁李小龙在微博科普了一番麒麟9905G使用的EUV（极紫外线）光刻工艺。李小龙赞叹道：“这次发布的麒麟9905G使用了EUV（极紫外线）光刻工艺，光刻设备的波长从之前的193纳米缩短到了10几纳米，这在半导体领域是非常大的一个突破。正是基于这项技术，我们才能够在约200mm2的面积下集成了103亿颗晶体管，几乎比上一代产品增加了一半。

李小龙推荐了一篇科普文章，感兴趣的读者可以前往围观，简单来说，EUV是极紫外光刻（ExtremeUltravioletLithography）的缩写，常称作EUV光刻，它以波长为1014纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。麒麟9905G采用了台积电的7nm EUV工艺，此前有消息称，苹果的A13也已经锁定台积电7nm 。

1吨＝1000kg(1000×9.8×10)/(2×3.14×0.9)＝17338n.mm＝173.38n.m再除以减去机15.7173.38÷15.7＝11.04n.m加上2倍安全系数11.04×2≈22.1n.m。1吨，10000N，丝杠直径50mm，一圈157mm，导程10mm，减速比15.7：1。计算，电机的扭矩需要：10000/15.7637Nm。

2.1cm21mm，1cm10mm，10＋2131mm。2.1cm十1cm＝3.1cm1cm10mm∴3.1cm3.1X1031mm，（1）1m10dm100cm，（2）因为：1cm10mm；1m100cm109nm，所以：1cm10mm107nm．故答案为：（1）10；100；（2）10；107．。2.1cm 1cm3.1cm31mm。